光刻装置和曝光方法

摘要

保持基片的2个载片台WS1、WS2可以在定位系统24a下的位置信息测量区域PIS和投影光学系统PL下的曝光区域EPS之间独立地移动。在上述WS1上正在进行晶片交换以及对位期间，可以在载片台WS2上曝光晶片W2。晶片WS1的各拍照区域的位置在区域PIS中被作为相对形成在载片台WS1上的基准标记的相对位置求出。因为相对位置信息在晶片WS1被移动到区域EPS被曝光时，用于相对曝光图形的对位，所以在载片台移动时不需要连续监视载片台的位置。通过使用2个晶片载片台WS1、WS2并行处理曝光动作就可以提高生产率。

主权项

1.一种用于利用曝光光束来曝光感应基片的光刻装置，包括：投影系统，所述感应基片均通过该投影系统用所述曝光光束来进行曝光；平行于X方向且平行于Y方向伸展的基面；第1和第2保持部件，二者都可在所述基面上方移动，并且可平行于X方向且平行于Y方向移动，所述第1和第2保持部件均保持感应基片；移动装置，用于使所述第1保持部件和所述第2保持部件在所述基面上方移动，其中，该移动装置包括所述第1保持部件和第2保持部件能够与之交替耦合的第1移动单元和第2移动单元；搬送系统，在基片交换操作期间将感应基片搬送到所述第1保持部件；检测系统，在检测操作期间检测所述第1保持部件上保持的感应基片上的多个标记；第1干涉计系统，在曝光所述第2保持部件上保持的感应基片的第1曝光操作期间，监测所述第2保持部件的2维位置；第2干涉计系统，在所述检测操作期间监测所述第1保持部件的2维位置，所述基片交换操作和检测操作中的至少一种操作在所述第1曝光操作期间进行，以及控制系统，在所述第1曝光操作和检测操作之后控制所述移动装置，从而所述第1和第2保持部件被切换以进行第2曝光操作，在该第2曝光操作中，所述第1保持部件上保持的感应基片通过所述投影系统用曝光光束来进行曝光。