| 发明名称 | 在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在大失配衬底硅(001)晶面上，采用金属有机物化学气相沉积法高温生长氧化铝薄膜；(2)在氧化铝薄膜上低温生长氧化锌薄膜。用此方法生长的氧化锌薄膜为高结晶质量薄膜，晶体结晶质量高且表面光滑。XRD曲线半峰宽小于0.3度。其表面粗糙度Rms小于1.2nm。RHEED图像为规则点带状。 | ||
| 申请公布号 | CN1741258A | 申请公布日期 | 2006.03.01 |
| 申请号 | CN200410056958.9 | 申请日期 | 2004.08.23 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 沈文娟;曾一平;王启元;王俊 |
| 分类号 | H01L21/365(2006.01);C30B25/00(2006.01);C30B25/18(2006.01);C30B29/16(2006.01) | 主分类号 | H01L21/365(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在大失配衬底硅(001)晶面上，采用金属有机物化学气相沉积法高温生长氧化铝薄膜；(2)在氧化铝薄膜上低温生长氧化锌薄膜。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||