| 发明名称 | 晶体管和半导体电路的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种薄膜晶体管的形成方法，该方法包括以下步骤：形成一硅膜，该硅膜在衬底之上，属非晶型；给硅膜供予促进结晶化的一种催化元素；使利用了所述催化元素的硅膜退火，而将硅膜结晶；在结晶的硅膜之上形成一栅极；对结晶的硅膜供以杂质；在结晶的硅膜的多个部分上形成含催化元素的物质；以及去除物质的一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN1741257A | 申请公布日期 | 2006.03.01 |
| 申请号 | CN200510091919.7 | 申请日期 | 1994.03.12 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 张宏勇;鱼地秀贵;高山彻;竹村保彦;山本睦夫 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管的形成方法，其特征在于包括以下步骤：形成一硅膜，该硅膜在衬底之上，属非晶型；给硅膜供予促进结晶化的一种催化元素；使利用了所述催化元素的硅膜退火，而将硅膜结晶；在结晶的硅膜之上形成一栅极；对结晶的硅膜供以杂质；在结晶的硅膜的多个部分上形成含催化元素的物质；以及去除物质的一部分。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||