发明名称 | 声表面波元件、声表面波装置以及通信装置 | ||
摘要 | 本发明提供一种倒装构造的声表面波元件,特别是一种改善了通频带外衰减量的声表面波元件、声表面波装置以及使用该声表面波装置的通信装置。该装置在压电基板(2)的滤波器区域中,分别形成有IDT电极(3),以及与该IDT电极(3)相连接的输入电极部(5)与输出电极部(6);在上述压电基板(2)的相反的另一方主面中形成有半导体层(22)。通过该半导体层(22),能够防止元件制造工序的热电破坏,并且还能够防止通频带外衰减量特性的恶化。 | ||
申请公布号 | CN1741379A | 申请公布日期 | 2006.03.01 |
申请号 | CN200510097705.0 | 申请日期 | 2005.08.26 |
申请人 | 京瓷株式会社 | 发明人 | 横田裕子;伊藤干;长峰成彦;船见雅之;饭冈淳弘 |
分类号 | H03H9/25(2006.01) | 主分类号 | H03H9/25(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
主权项 | 1.一种声表面波元件,其特征在于,具备:压电基板,其在一方主面的滤波器区域中,分别形成有IDT电极,以及与该IDT电极相连接的输入电极部与输出电极部;以及半导体层,其形成在所述压电基板的与所述一方主面相反的另一方主面中。 | ||
地址 | 日本京都府 |