发明名称 |
校正光刻工艺的方法以及叠合记号的形成方法 |
摘要 |
一种校正光刻工艺的方法,此方法先进行物理气相沉积工艺(PVD),以于晶片上沉积薄膜,其中所沉积的薄膜会随着PVD的靶材消耗量其于沟槽或凹洞侧壁的不对称沉积程度而有所变化,因而造成叠合记号的偏移量有所变化,且靶材消耗量与偏移量之间存在有一关系式,而且此关系式记录于一控制系统中。此控制系统会计算出补偿值,并将此补偿值回馈于后续欲进行的光刻工艺。接着,在薄膜上形成光致抗蚀剂层。之后,对光致抗蚀剂层进行光刻工艺,其中在进行光刻工艺时,由于控制系统会将补偿值回馈于光刻工艺,以校正薄膜其随着PVD的靶材消耗量所造成的偏移,因此可以避免因所形成的叠合记号的位置偏移,而造成叠合记号测量发生错误的问题。 |
申请公布号 |
CN1740912A |
申请公布日期 |
2006.03.01 |
申请号 |
CN200410068274.0 |
申请日期 |
2004.08.27 |
申请人 |
茂德科技股份有限公司 |
发明人 |
陈泰原 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1、一种校正光刻工艺的方法,包括:进行一物理气相沉积工艺(PVD),以于一晶片上沉积一薄膜,其中所沉积的该薄膜会随着该PVD的靶材消耗量(Target Consumption)而存在有一光刻叠合记号的偏移量的改变,且该靶材消耗量与该偏移量之间存在有一关系式;由该关系式取得一补偿值;在该薄膜上形成一光致抗蚀剂层;以及对该光致抗蚀剂层进行一光刻工艺,其中在进行该光刻工艺时,会将该补偿值回馈于该光刻工艺。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园 |