| 发明名称 | 表面发射半导体激光器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种表面发射半导体激光器包括：衬底、衬底上的半导体层叠层、在叠层上形成并具有激光发射窗的台体，和至少覆盖台体的侧面和外围部分的绝缘膜，该台体的外围部分由叠层形成。绝缘膜的末端被设置得比衬底的截断端更靠内。 | ||
| 申请公布号 | CN1741332A | 申请公布日期 | 2006.03.01 |
| 申请号 | CN200510105172.6 | 申请日期 | 2003.09.15 |
| 申请人 | 富士施乐株式会社 | 发明人 | 大森诚也 |
| 分类号 | H01S5/18(2006.01);H01S5/183(2006.01) | 主分类号 | H01S5/18(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 任默闻 |
| 主权项 | 1.一种表面发射半导体激光器，其包括：衬底；形成在衬底上的半导体层叠层；设置在该叠层上并且具有激光发射窗的台体；以及至少覆盖台体的侧面和外围部分的绝缘膜，该台体的外围部分由叠层形成，在该叠层的一部分上形成有一凹槽，并置于台体的外围部分以便围绕台体；绝缘膜设置在包括凹槽的区域上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||