| 发明名称 | 三维电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电容器和一种制造该电容器的方法。可以通过形成两个或更多的介电层和下电极来形成该电容器，其中，在形成下电极之前形成该两个或更多的介电层的至少一个。 | ||
| 申请公布号 | CN1741250A | 申请公布日期 | 2006.03.01 |
| 申请号 | CN200510096517.6 | 申请日期 | 2005.08.22 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李正贤;朴星昊;崔相俊 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L29/92(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L27/10(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种制造电容器的方法，所述方法包括：形成两个或更多的介电层和下电极，其中，在形成所述下电极之前形成所述两个或更多的介电层中的至少一个，且其中，所述在形成所述下电极之前形成的两个或更多的介电层中的至少一个包括缓冲层，所述缓冲层包括V族金属氧化物；以及在所述两个或更多的介电层上形成铂族金属的上电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||