曝光装置以及曝光方法

摘要

保持基片的2个载片台WS1、WS2可以在定位系统24a下的位置信息测量区域PIS和投影光学系统PL下的曝光区域EPS之间独立地移动。在上述WS1上正在进行晶片交换以及对位期间，可以在载片台WS2上曝光晶片W2。晶片WS1的各拍照区域的位置在区域PIS中被作为相对形成在载片台WS1上的基准标记的相对位置求出。因为相对位置信息在晶片WS1被移动到区域EPS被曝光时，用于相对曝光图形的对位，所以在载片台移动时不需要连续监视载片台的位置。通过使用2个晶片载片台WS1、WS2并行处理曝光动作就可以提高生产率。

主权项

1.一种投影曝光装置，在所述投影曝光装置中将形成在掩模上的图形分别投影在感应基片上由此曝光所述感应基片，该装置包括：投影系统，位于曝光光束的传输路径中，用于将图形的像投射到感应基片上；载片台系统，位于所述投影系统的图像平面一侧上，具有第1基片载片台和第2基片载片台，其中在保持感应基片的同时，每一个载片台都可以独立地在平面内移动；第1干涉计系统，在功能上与载片台系统相关，具有5个测量轴，用于在基片交换操作和所述第1基片载片台的检测操作中的至少一个操作期间，监测所述第1基片载片台；第2干涉计系统，在功能上与载片台系统相关，具有5个测量轴，用于在第2基片载片台的曝光操作期间监测所述第2基片载片台；搬送系统，该搬送系统在所述基片交换操作期间将所述基片搬送到所述第1基片载片台；位置信息检出系统，该位置信息检出系统在所述检测操作期间对所述第1基片载片台上的基片的多个标记进行检测；以及控制系统，在功能上与所述载片台系统、所述第1干涉计系统和所述第2干涉计系统相关，并且根据所述第1和第2干涉计系统的监测结果，通过移动所述第1基片载片台控制所述载片台系统执行所述基片交换操作和所述检测操作中的至少一种，同时通过移动所述第2基片载片台进行曝光操作。