| 主权项 |
1.一种蚀刻氮化矽层之制程,其包括下列步骤:a)制备一个多层构造包括一个下层(12;24;32)的物质及于该下层上之由氮化矽所形成之一个上层(13;25;33);及b)暴露该上层于一种蚀刻气体中以便蚀刻该上层,其特征为该蚀刻气体为含有六氟化硫,溴化氢和氧气气体混合物,使得该六氟化硫,溴化氢和氧气为同时引入反应性离子蚀刻系统之反应器中以蚀刻该氮化矽上层。2.如申请专利范围第1项之制程,其中该物质是氧化矽。3.如申请专利范围第1或第2项之制程,在步骤a)与步骤b)之间另外包含于上层上方形成一个蚀刻掩模(14;27;34)的步骤以于步骤b)中暴露一部份的上层于蚀刻气体中。4.如申请专利范围第1项之制程,其中该物质是氯化矽,而溴化氢范围为蚀刻气体的以体积计算3%至10%。5.如申请专利范围第4项之制程,在步骤a)与步骤b)间另外包括于上层上方形成蚀刻掩模(14;27;34)的步骤以于步骤b)中暴露一部份的上层于蚀刻气体中。6.如申请专利范围第1项之制程,在步骤b)系在阳极耦合之平行板反应性离子蚀刻系统(15)中予以进行。7.如申请专利范围第1项之制程,其中该物质是氧化矽而溴化氢范围为占供应至放置有多层构造之阳极耦合之平行板反应性离子蚀刻系统(15)中之蚀刻气体中以体积计自3%至10%。8.如申请专利范围第7项之制程,在步骤a)与步骤b)间进而包含于上层上方形成蚀刻掩模(14;27;34)的步骤以于步骤b)中暴露一部份的上层于蚀刻气体中。9.如申请专利范围第8项之制程,在形成蚀刻掩模(34)的步骤与步骤b)间进而包含以各向异性方式使上层(33)形成图型的步骤及将上层的残余小片于步骤b)中移除。图示简单说明:第一图A至第一图C是显示先前技艺制程顺序之截面图;第二图是显示三溴化硼的蒸压与温度间之关系图;第三图A和第三图B是显示先前技艺制程中固有之问题的截面图;第四图A至第四图D是显示根据本发明,用以蚀刻氧化矽层之制程顺序之截面图;第五图是显示溴化氢之蒸气压与温度之关系图;第六图A至第六图D是显示根据本发明之制程应用至另外半导体构造上之截面图;及第七图A至第七图D是显示根据本发明,使氮化矽层图型形成之另外制程之截面图。 |
