| 主权项 |
1.一种用来制造一结线结构之方法,其步骤包含:提供一基底其表面上有一半导体面积;生成一绝缘层内有一孔在半导体基底上,该孔将半导体面积的部份区域曝露出来;生成一钛金属层在基底之上;生成一第一氮化钛层在钛金属层上而不加入氧气;生成一氧氮化钛层在第一氮化钛层之上;生成一第二氮化钛层于氧氮化钛层之上;生成一传导层于第二氮化钛层之上;及去除传导层以便在该孔内形成传导栓塞。2.如申请专利范围第1项之方法,其步骤更进一步包含:生成一第二钛金属层于传导栓塞和第二氮化钛层上,及生成一传导层根据回流方式于第二钛金属层上。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该传导层是用铝作的。4.如申请专利范围第1项之方法,其中第一氮化钛层是在氮气环境中藉反应溅镀方式而生成,而该氧氮化层是在包含氮气和氧气的环境中藉反应溅镀方式而生成。5.一种用来制造结线结构之方法,其步骤包含:提供一基底;形成层状障碍结构于基底上其中包含一钛金属层,一第一氮化钛层,一氧氮化钛层于第一氮化钛层上,和一第二氮化钛层于氧氮化钛层上;形成一传导栓塞于层状障碍结构之上;及形成一金属层于传导层和层状障碍结构之上。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该金属层是由钛金属所组成。7.如申请专利范围第5项之方法,其步骤更进一步包含生成一传导层于金属层上以回流方式生成。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该传导层是由铝所组成。9.一种半导体装置,包含:一基底于其上形成部份的半导体物质传导区;一绝缘层形成于基底上,接触孔形成于绝缘层内使得其底部开口位于传导区上;一钛金属层沿着接触孔内表面生成;一第一氮化钛层形成在接触孔内钛金属层之上;一氧氮化钛层形成在接触孔内第一氮化钛层之上;一第二氮化钛层形成在接触孔内氧氮化钛层之上;传导物质的埋入栓塞形成在接触孔内第二氮化钛层之上;及一结线形成在绝缘层之上,而且有电力接触至埋入栓塞。图式简单说明:第一图A-第一图C,第二图A,第二图B,第三图A和第三图B是根据本发明的实施例用来解释结线形成方法的半导体基底之剖面图。第四图是由发明者所作的实验而生成之钨(W)栓塞的剖面图。 |
