发明名称 METHOD OF CRYSTALLIZING AMORPHOUS SILICON LAYER AND METHOD OF MAKING THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20060018139(A) 申请公布日期 2006.02.28
申请号 KR20040066492 申请日期 2004.08.23
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 PARK, KYUNG MIN;KIM, DONG BYUM
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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