| 主权项 |
1.一种用以清洗矽半导体或二氧化矽表面之溶液,其系含H2O2.NH4OH与至少一种选自含氟化合物与异于NH4OH之铵硷之成分A,其中,H2O2与H2O之重量比为1:5至1:50,NH4OH与H2O之重量比为1:5至1:50,且成份A之用量为使其与NH4OH之莫耳数比为1:10至1:5000,其中该铵硷系具如下通式:其中R1.R2.R3与R4系分别为H或C1-8烷基,其条件为R1.R2.R3与R4中至少有一不为H,及其中该含氟化合物系选自由氟化铵与非金属氟化物所组成之族群。2.根据申请专利范围第1项之溶液,其中R1.R2.R3与R4系分别为C1-4烷基。3.根据申请专利范围第2项之溶液,其中该铵硷系氢氧化四甲铵。4.根据申请专利范围第1项之溶液,其中成分A与NH4OH之莫耳数比为1:10至1:1000。5.根据申请专利范围第4项之溶液,其中成分A与NH4OH之莫耳数比为1:100至1:500。6.根据申请专利范围第1项之溶液,其中NH4OH与H2O之重量比为1:10至1:30。7.根据申请专利范围第1项之溶液,其中H2O2与H2O之重量比为1:10至1:30。图示简单说明:第一图显示习用制备积体电路电容元件之流程图,其中10代表晶片;20代表氧化层;30代表光阻层;40代表闸极氧化层;50代表复晶矽层;60代表铝层;70代表光阻层;且80代表铝层。第二图显示于本发明清洗溶液采不同NH4OH/TMAH比例所得电容之崩溃电场分布图,其中代表NH4OH/TMAH=100/1,○代表NH4OH/TMAH=300/1,且代表NH4OH/TMAH=500/1。第三图显示于本发明清洗溶液采不同NH4OH/TMAH比例所得电容之崩溃电荷分布图,其中代表NH4OH/TMAH=100/1,○代表NH4OH/TMAH=300/1,且代表NH4OH/TMAH=500/1。第四图显示分别以传统RCA二步骤清洗溶液与二种依据本发明之单步骤清洗溶液清洗所得电容之电流密度与电场强度,其中为以RCA清洗溶液清洗所得对照组试片,○代表本发明清洗溶液中NH4OH/TMAH=100/1所得试片,且代表本发明清洗溶液中NH4OH/NH4F=30/1所得试片。第五图显示分别以传统RCA二步骤清洗溶液与二种依据本发明之单步骤清洗溶液清洗所得电容之崩溃电场分布图,其中为以RCA清洗溶液清洗所得对照组试片,○代表本发明清洗溶液中NH4OH/TMAH=100/1所得试片,且代表本发明清洗溶液中NH4OH/NH4F=30/1所得试片。第六图显示分别以传统RCA二步骤清洗溶液与二种依据本发明之单步骤清洗溶液清洗所得电容之崩溃电荷分布图,其中为以RCA清洗溶液清洗所得对照组试片,○代表本发明清洗溶液中NH4OH/TMAH=100/1所得试片,且代表本发明清洗溶液中NH4OH/NH4F=30/1所得试片。 |
