TEST DEVICE IN A FLASH MEMORY DEVICEAND METHOD OF TESTING LEAKAGE CURRENT USING THE SAME,申请号KR20040066247-传众专利搜索

发明名称	TEST DEVICE IN A FLASH MEMORY DEVICEAND METHOD OF TESTING LEAKAGE CURRENT USING THE SAME
摘要
申请公布号	KR20060017956(A)	申请公布日期	2006.02.28
申请号	KR20040066247	申请日期	2004.08.23
申请人	HYNIX SEMICONDUCTOR INC.	发明人	PARK, BYUNG SOO
分类号	H01L21/8247;H01L21/66;H01L23/544;H01L27/115	主分类号	H01L21/8247
代理机构		代理人
主权项
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