发明名称 NON VOLATILE MEMORY DEVICE INCORPORATING SELECTION TRANSISTOR HAVING RECESS CHANNEL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号 KR100553712(B1) 申请公布日期 2006.02.24
申请号 KR20040031469 申请日期 2004.05.04
申请人 发明人
分类号 H01L27/115;G11C16/04;H01L21/336;H01L21/8247;H01L29/78;H01L29/788 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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