| 摘要 |
<P>Le procédé consiste à former une partie concave sur un côté de surface avant d'une puce à semiconducteurs dans un substrat semiconducteur, un dispositif fonctionnel formé sur la surface avant, la partie concave ayant une profondeur inférieure à l'épaisseur du substrat semiconducteur, former un bouchon factice en introduisant un matériau non métallique dans la partie concave, amincir le substrat par retrait d'une partie de sa surface arrière pour que son épaisseur devienne inférieure à l'épaisseur de la partie concave, cette dernière formant un trou traversant, retirer le bouchon et introduire le matériau dans le trou traversant et former une électrode de pénétration.Application notamment à la fabrication de puces à semiconducteurs.</P> |
