| 摘要 |
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Durchführen einer chemischen Vielschritt-Vielkammer-Gasphasenabscheidung, während ein Reaktantspeicher in den jeweiligen Reaktionskammern vermieden wird. Das Verfahren enthält das Abscheiden einer Schicht aus Halbleitermaterial auf einem Substrat unter Verwendung einer Gasphasenabscheidung in einer ersten Abscheidungskammer, gefolgt von der Evakuierung der Wachstumskammer, um die Gasphasenabscheidungsquellengase, die in der ersten Abscheidungskammer verblieben sind, nach dem Abscheidungswachstum und vor dem Öffnen der Kammer zu reduzieren. Das Substrat wird zu einer zweiten Abscheidungskammer transportiert, während die erste Abscheidungskammer von der zweiten Abscheidungskammer isoliert ist, um zu verhindern, dass Reaktante, die in der ersten Abscheidungskammer vorhanden sind, die Abscheidung in der zweiten Kammer beeinflussen, und während eine Umgebung aufrechterhalten wird, die Wachstumsstoppeffekte minimiert oder eliminiert. Nach dem Transportschritt wird eine zusätzliche Schicht aus unterschiedlichem Halbleitermaterial auf der ersten, abgeschiedenen Schicht in der zweiten Kammer unter Verwendung von Gasphasenabscheidung abgeschieden. |
