| 主权项 |
1.一种用以检测在具有多数个凹槽之运送器中晶圆的方法,其包含:(a)取得一组晶圆影像;(b)检测在该影像第一行中之晶圆的第一特点;以及(c)决定该第一特点在第一行之何处被检测。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该影像是使用一组摄影机而取得。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该摄影机是一组视讯摄影机。4.如申请专利范围第2项之方法,其中该摄影机是一组数位摄影机。5.如申请专利范围第2项之方法,其中该影像是一组数位化影像。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一特点在第一行中被表示为一组峰値强度。7.如申请专利范围第1项之方法,其进一步地包含:检测该影像第二行中之晶圆的第二特点;决定该第二特点在第二行之何处被检测;以及比较在第一行中被检测之该第一特点以及在第二行中被检测之该第二特点。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该第一特点被表示为第一行中之峰値强度,并且该第二特点被表示为第二行中之峰値强度。9.一种在半导体制造设备中之晶圆对映装置,其包含有:一组摄影机,用以取得被包含在运送器中之晶圆的一组影像;以及一组被耦合至该摄影机的电脑,该电脑可被操作以检测该影像中之晶圆特点。10.如申请专利范围第9项之装置,其进一步地包含一组光源。11.如申请专利范围第9项之装置,其中该摄影机是一组视讯摄影机。12.如申请专利范围第9项之装置,其中该摄影机是一组数位摄影机。13.如申请专利范围第9项之装置,其中该摄影机被耦合至一组显示监视器。14.如申请专利范围第9项之装置,其中该晶圆特点是在影像行中被检测。15.一种在半导体制造设备中用以检测在具有多数个凹槽之晶圆运送器中半导体晶圆的方法,其包含:取得该半导体晶圆之一组影像;以及检测该影像中之半导体晶圆。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该取得动作包含:检测该影像第一行中半导体晶圆之第一特点;以及决定该第一特点在第一行之何处被检测。17.如申请专利范围第15项之方法,其进一步地包含使用影像以便决定该半导体晶圆是否跨越过凹槽之动作。图式简单说明:第1A图展示依据本发明之晶圆对映系统之一组绘制图形。第1B和1C图展示被展示于第1A图中晶圆对映系统之可能的架设位置之一组绘制图形。第2图展示依据本发明被对映之晶圆运送器的影像图形。第3图展示被展示于第2图影像行线中,总共强度相对于像素列位置之图形。第4图展示包含跨越凹槽晶圆之晶圆运送器的影像。第5图展示被展示于第4图影像行线中,总共强度相对于像素列位置之图形。第6图展示被展示于第4图影像另一行线中,总共强度相对于像素列位置之图形。第7图展示第5图之图形被重叠放置在6图中之图形。 |
