| 主权项 |
1.一种自流体中移除铜之装置,包括具铜离子渗透薄膜分隔之阳极及阴极之电解电池。2.如申请专利范围第1项之移除铜之装置,其中存在含有铜及铜错合剂之溶液作为电池之阴极电解质或阳极电解质。3.如申请专利范围第1项之移除铜之装置,其中存在含有铜及铜错合剂之溶液作为电池之阳极电解质。4.如申请专利范围第2或3项之移除铜之装置,其中该溶液系由印刷电路生产过程中予以制造者。5.如申请专利范围第3项之移除铜之装置,其中该铜错合剂为含氮化合物。6.如申请专利范围第5项之移除铜之装置,其中该铜错合剂为唑。7.如申请专利范围第6项之移除铜之装置,其中该铜错合剂为四唑或三唑。8.如申请专利范围第7项之移除铜之装置,其中该铜错合剂为有苯并三唑。9.如申请专利范围第5项之移除铜之装置,其中该铜错合化合物为非环状化合物。10.如申请专利范围第1项之移除铜之装置,其中存在含铜溶液作为电池之阴极电解质或阳极电解质。11.如申请专利范围第10项之移除铜之装置,其中该流体或溶液为酸性水溶液。12.如申请专利范围第8项之移除铜之装置,其中该流体为含有苯并三唑及过氧化物之酸性水溶液。13.如申请专利范围第8项之移除铜之装置,其中该流体为含有苯并三唑及过氧化氢之硫酸水溶液。14.如申请专利范围第13项之移除铜之装置,又包括过滤装置。15.一种自含有铜错合剂之流体中移除铜之方法,包括:提供包括具铜离子渗透薄膜分隔之阳极及阴极之电解电池系统;添加含有铜及铜错合剂之流体至该系统中;及电解处理该流体。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该流体系流动于该系统中。17.如申请专利范围第15或16项之方法,其中该流体系由印刷电路生产过程中予以制造者。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该含有铜及铜错合剂之溶液系添加作为电池之阳极电解质。19.如申请专利范围第17项之方法,其中该流体为含有铜错合剂之酸性水溶液。20.如申请专利范围第19项之方法,其中该铜错合剂为三唑。21.如申请专利范围第20项之方法,其中该流体为含有苯并三唑及过氧化物之酸性水溶液。22.如申请专利范围第20项之方法,其中该流体为含有苯并三唑及过氧化氢之硫酸水溶液。23.如申请专利范围第22项之方法,其中该添加于系统中之流体每公升具有铜浓度为至少5克,且该系统自流体中电解移除铜后,经处理的流体之铜浓度为约10000ppm或更少。24.一种自流体中移除铜之方法,包括:a)提供一种系统,包括1)具铜离子渗透薄膜分隔之阳极及阴极之电解电池,及2)含有铜之流体;及b)电解处理该流体。25.如申请专利范围第24项之方法,其中该电解处理之流体包括铜错合剂。26.如申请专利范围第25项之方法,其中该铜错合剂系在电解处理之前添加至该流体中。27.如申请专利范围第26项之方法,其中该流体系流动于该系统中。28.如申请专利范围第27项之方法,其中该流体系由印刷电路生产过程中予以制造者。29.如申请专利范围第28项之方法,其中该流体系添加作为电池之阳极电解质。30.如申请专利范围第29项之方法,其中该流体为含有铜错合剂之酸性水溶液。31.如申请专利范围第29项之方法,其中该铜错合剂为三唑。图式简单说明:第1图表示本发明较好的移除铜系统之概略图。 |
