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Ein Verfahren zum Trennen eines Halbleitersubstrats (1), das ein Implementationsteil (2) aufweist, das daran befestigt ist, weist ein Trennverfahren für mindestens das Implementationsteil (2) auf dem Halbleitersubstrat (1) entlang einer Trennlinie, ein Platzierungsverfahren für ein Filmteil (5) auf einer gleichen Seite wie das Implementationsteil (2), ein Ausbildungsverfahren einer geänderten Fläche (1c) durch Strahlen eines Laserstrahls (4) auf mindestens einer ersten Seite (1f) des Halbleitersubstrats (1), das das Implementationsteil (2) aufweist, und einer zweiten Seite (1g), die eine Seite ist, die der ersten Seite des Halbleitersubstrats (1) gegenüberliegt, entlang der Trennlinie mit einem Brennpunkt des Laserstrahls (4), die zu einer Substanz in dem Halbleitersubstrat (1) ausgerichtet ist, und ein Trennen/Entfernen mindestens eines Halbleiterchips (1e) an der Trennlinie von dem Halbleitersubstrat (1) auf.
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