| 发明名称 | 有机半导体元件 | ||
| 摘要 | 通过将新概念引入常规有机半导体元件的结构，而不使用常规超薄薄膜，提供更可靠和具有更高成品率的有机半导体元件。而且，尤其提高使用有机半导体的光电子器件的效率。在阳极和阴极之间设置有机结构，该有机结构包括交替层叠的通过使SCLC流动实现各种功能的有机薄膜层(功能有机薄膜层)，和通过用受主和施主掺杂导电薄膜层，或通过类似的方法充满暗电导率的导电薄膜层(欧姆导电薄膜层)。 | ||
| 申请公布号 | CN1738502A | 申请公布日期 | 2006.02.22 |
| 申请号 | CN200510092078.1 | 申请日期 | 2002.12.05 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 筒井哲夫;山崎宽子;濑尾哲史 |
| 分类号 | H05B33/12(2006.01);H05B33/14(2006.01);H05B33/22(2006.01);H01L51/00(2006.01) | 主分类号 | H05B33/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1.一种电子器件，它包含：阴极；阳极；包含介于所述阴极和所述阳极之间的第一至第n功能薄膜层的结构，其中，n是等于或大于2的整数，介于第k功能薄膜层和第(k+1)功能薄膜层之间的导电薄膜层，其中，k是1≤k≤(n-1)的整数，其中，所述导电薄膜层与所述第k功能薄膜层和所述第(k+1)功能薄膜层接触，其中，所述导电薄膜层包含第一层和第二层，其中，每一所述功能薄膜层包括一发光层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||