发明名称 微影制程
摘要 一种微影制程,其系首先在一基底之上方形成一光阻层。之后,在光阻层之上方设置一第一光罩,且第一光罩上具有一高密度图案。之后,进行一第一曝光步骤,以将高密度图案转移至光阻层,其中第一曝光步骤之曝光能量系为E1。之后,再于光阻层之上方设置一第二光罩,且第二光罩上具有一低密度图案。随后,进行一第二曝光步骤,以将低密度图案转移至光阻层,其中第二曝光步骤之曝光能量系为E2,且E2大于E1。最后,进行一显影步骤,以图案化光阻层。
申请公布号 TW200423221 申请公布日期 2004.11.01
申请号 TW092109020 申请日期 2003.04.18
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 陈孟伟;杨大弘;张庆裕
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学园区力行路十六号