| 发明名称 | 保护层的选择性蚀刻 | ||
| 摘要 | 一种包括在催化剂层上形成的保护层来保护该催化剂层在阴极处理期间或之前免受有害环境条件影响的电子发射设备。本发明还包括半蚀刻处理，其适用于从催化剂层上部分去除保护层，以蚀刻除了碳纤管生长部分之外的催化剂层。部分保护层仍然保留在催化剂层上以保护该催化剂层在下个阴极形成处理中免受有害条件的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN1739189A | 申请公布日期 | 2006.02.22 |
| 申请号 | CN200380108992.X | 申请日期 | 2003.12.19 |
| 申请人 | 赛得里姆显示器公司;三洋电机株式会社 | 发明人 | 孙钟禹;张出河;金正宰;浩司铃木;高志桑原 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01) | 主分类号 | H01L21/302(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 樊卫民;关兆辉 |
| 主权项 | 1.一种在平板显示设备中形成碳纤管的方法，包括：在基片上形成阴极结构，该基片包括：电极发射体，电阻层，阻挡层，催化剂层，电介质层，门控层，在所述门控层上设置的催化剂层，和门控孔；在所述门控孔中和所述门控层上的所述催化剂层上沉积保护性材料；并且在部分蚀刻步骤期间部分去除所述保护性材料以去除在所述门控层上沉积的催化剂层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||