| 发明名称 | 逻辑门阵列和形成逻辑门阵列的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成逻辑门阵列的方法包括：提供具有一般平面工作表面的衬底；对衬底进行氧化；形成从衬底的工作表面向外延伸的半导体材料的柱体，所述的柱体具有多个侧壁；在柱体上沉淀多晶硅；定向地对沉淀的多晶硅进行蚀刻；进行加热以致使侧向外延的固相垂直地再生，以便形成用于定义晶体管的第一和第二源极/漏极区域的薄膜；在薄膜上形成栅极绝缘层；以及形成相对于薄膜的栅级结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1738047A | 申请公布日期 | 2006.02.22 |
| 申请号 | CN200510099585.8 | 申请日期 | 2002.02.07 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | 莱昂纳德·福布斯 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/822(2006.01);H03K19/094(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种包括连接在一起的多个垂直超薄晶体管的逻辑门阵列。 | ||
| 地址 | 美国艾达荷 | ||