面结型场效应晶体管及其制造方法

摘要

一种面结型场效应晶体管及其制造方法，可以得到以低损失、能作高耐压及大电流切换动作的偏差少的面结型场效应晶体管(JFET)。该JFET包括：第二导电型的栅极区域(2)，其设在半导体基片的表面；第一导电型的源极区域(1)；第一导电型的通道区域(10)，其与源极区域连接；第二导电型的限定区域(5)，其与栅极区域连接，限定通道区域；第一导电型的漏极区域(3)，其设在背面；第一导电型的漂移区域(4)，其从通道向漏极在基片的厚度方向上连续。漂移区域和通道区域的第一导电型杂质的浓度低于源极区域、漏极区域的第一导电型杂质浓度及限定区域的第二导电型杂质的浓度。

主权项

1.一种面结型场效应晶体管，其中，包括：第二导电型的栅极区域，其设在半导体薄体的一个主表面上；第一导电型的源极区域，其设在所述一个主表面的旁边；第一导电型的通道区域，其与所述源极区域连接；第二导电型的限定区域，其与所述栅极区域连接，包围所述通道区域并限定其范围；第一导电型的漏极区域，其设在所述半导体薄体的与所述一个主表面相对的主表面上；第一导电型的漂移区域，其从所述通道区域在所述半导体薄体的厚度方向上向所述漏极区域连接，所述漂移区域及所述通道区域的第一导电型的杂质浓度低于所述源极区域及漏极区域的第一导电型的杂质浓度及所述限定区域的第二导电型的杂质浓度，所述漂移区域的第一导电型杂质浓度高于所述通道区域的第一导电型杂质浓度。