| 发明名称 | 共射共基放大器,其电路以及制造这种放大器布置的方法 | ||
| 摘要 | 高频电路的共射共基放大器，它具有一个第一晶体管，该第一晶体管具有一个第一基极半导体区域，一个第一集电极半导体区域以及－一个第一发射极半导体区域，它还具有一个第二晶体管，该第二晶体管具有一个第二基极半导体区域，一个第二集电极半导体区域以及一个第二发射极半导体区域，其中，第一晶体管的第一发射极半导体区域和第二晶体管的第二集电极半导体区域相对于一个晶圆表面几何地位于上方，并且第一晶体管的第一集电极半导体区域和第二晶体管的第二发射极半导体区域相对于晶圆表面几何地位于下方。 | ||
| 申请公布号 | CN1738048A | 申请公布日期 | 2006.02.22 |
| 申请号 | CN200510091418.9 | 申请日期 | 2005.08.10 |
| 申请人 | ATMEL德国有限公司 | 发明人 | 克里斯托夫·布龙贝格尔 |
| 分类号 | H01L27/082(2006.01);H01L21/8222(2006.01);H03F3/19(2006.01) | 主分类号 | H01L27/082(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 曾立 |
| 主权项 | 1.共射共基放大器，它具有一个第一晶体管(Q1)，该第一晶体管(Q1)具有-一个第一基极半导体区域(12)，-一个第一集电极半导体区域(13)以及-一个第一发射极半导体区域(11)；该共射共基放大器还具有一个第二晶体管(Q2)，该第二晶体管(Q2)具有-一个第二基极半导体区域(22)，-一个第二集电极半导体区域(21)以及-一个第二发射极半导体区域(23)，其特征在于，该(第一晶体管(Q1)的)第一集电极半导体区域(13)和该(第二晶体管(Q2)的)第二发射极半导体区域(23)与一个导电的、被掩埋的层(3)相邻接，该层将该(第一晶体管(Q1)的)第一集电极半导体区域(13)和该(第二晶体管(Q2)的)第二发射极半导体区域(23)相互电连接。 | ||
| 地址 | 德国海尔布隆 | ||