氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法

摘要

本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中的金属插入层及制备方法，其特征在于采用了金属钨(W)插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后经高温退火后继续HVPE生长GaN层。金属钨插入层的引入，作用是产生微区掩膜，金属W薄膜在高温下会发生团聚，同时与W接触的下层的GaN会分解，使得金属W层形成分立的多孔网状结构，从而暴露出部分的GaN膜，由于气相外延的选择性，HVPE生长时GaN将选择生长在下层的GaN上，然后经过横向外延生长过程连接成完整的GaN膜。通过GaN的微区横向外延，降低了生长的GaN的位错密度。简单易行，适合于批量生产采用。

主权项

1、一种氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层，其特征在于：(1)金属插入层为金属W层；(2)金属插入层是沉积在以Al2O3、SiC、Si或GaAs中任一种为衬底上生长作为模板的GaN外延层上。