| 发明名称 | 形成电磁波干扰遮蔽膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关一种结合物理气相沉积及电镀来形成电磁波干扰(EMI)遮蔽膜的方法。以物理气相沉积在一非导电材料的表面上形成一第一金属膜的第一步骤；及在一电镀系统中于第一金属膜上电镀一第二金属膜的第二步骤。第一金属膜提供了导电性质，于是可作为第二步骤中的电镀系统中的阴极而在其上电镀第二金属膜。第二金属膜可为导电性良好的铜或银。本发明方法进一步包含在第二金属膜上形成一保护膜的步骤，例如镍保护膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1243464C | 申请公布日期 | 2006.02.22 |
| 申请号 | CN00100516.2 | 申请日期 | 2000.01.20 |
| 申请人 | 柏腾科技股份有限公司 | 发明人 | 刘启志;陈在朴;黄光昭 |
| 分类号 | H05K9/00(2006.01);C23C18/00(2006.01);G12B17/02(2006.01) | 主分类号 | H05K9/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 李柏 |
| 主权项 | 1.一种在非导电材料上形成电磁波干扰遮蔽膜的方法，包含下列步骤：a)由物理气相沉积在非导电材料的一表面上形成一0.1～1.0μm厚的第一金属膜；及b)在该第一金属膜上电镀上一第二金属膜，其中该第一金属膜被用作为一阴极；其中在步骤a)的物理气相沉积中使用一罩来遮盖在非导电材料的表面的一部分，于是第一金属膜只是在非导电材料的表面未被遮盖的部分形成。 | ||
| 地址 | 台湾省台北县莺歌镇大湖路700巷10弄8号 | ||