发明名称 电容器阵列
摘要 构成一种具有良好抗落下冲击性的电容器阵列。以介电体薄片(12)的长边方向的中心对称,形成具有规定宽度的四个内部电极(13)及与这些内部电极导通的内部电极引出部(14)。其中的内部电极引出部(14)的形成间距P<SUB>1</SUB>比内部电极(13)的形成间距P<SUB>0</SUB>要窄。即,靠近配列方向的部形成内部电极引出部(14)。将这样形成的介电体薄片(12)按规定的层数叠层,在其上下叠层不形成电极的介电体薄片。在由这些叠层介电体薄片组成的组合体的侧面,形成与内部电极引出部连接的外部电极,构成在一个组合体内设有四个电容器的电容器阵列。
申请公布号 CN1243359C 申请公布日期 2006.02.22
申请号 CN02151440.2 申请日期 2002.11.19
申请人 株式会社村田制作所 发明人 大塚大辅;谷口政明;川口庆雄
分类号 H01G4/38(2006.01);H01G4/30(2006.01);H01G4/228(2006.01);H01G4/005(2006.01) 主分类号 H01G4/38(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汪惠民
主权项 1.一种电容器阵列,包括通过叠层具有分别排列设置在各电介质体薄片的表面上的多个内部电极和分别与该多个内部电极导通并且在所述电介质体薄片上沿着所述内部电极的排列方向的侧缘部延伸的内部电极引出部的多个介电质体薄片而构成的长方体状的组合体,并且在该组合体的两侧面上,设有与所述内部电极引出部交替连接的外部电极,其特征在于:设置在所述长方体形状组合体两侧面的外部电极的间距比与该外部电极导通的同一个平面上的所述内部电极的间距要窄。
地址 日本京都府