采用UHV－CVD制作的应变SI基底层以及其中的器件

摘要

公开了一种制作应变Si基底层的方法、在该层中制作的器件、和包括这种层和器件的电子系统。该方法包含在衬底上外延生长SiGe层、和在此SiGe层中产生变化Ge浓度的步骤。SiGe层中的Ge浓度包括独特的Ge过冲区，在Ge过冲区中Ge浓度急剧和显著地增加。Si基底层被外延沉积在SiGe层上，从而变成拉伸应变的层。也公开了应变Si基底层，典型地Si和SiGe，可被转移至不同的块状衬底或绝缘体。

主权项

1.一种制作应变Si基底层的方法，该方法包括以下步骤：在衬底上外延生长SiGe层，其中在所述SiGe层的厚度方向产生变化Ge浓度，所述Ge浓度在与所述衬底的界面处具有第一值，并在所述SiGe层的全厚度处具有第二值，所述Ge浓度的第二值大于所述Ge浓度的第一值，此外所述SiGe层嵌入Ge过冲区，其中所述Ge过冲区具有第三值Ge浓度，所述第三值大于所述第二值；和在所述SiGe层上外延沉积所述Si基底层。