一种形成翅片场效应晶体管的方法

摘要

在一种FinFET集成电路工艺中，翅片在体区以体厚度形成，然后在体外面的源/漏区加厚以改进导电性。加厚通过外延淀积完成而栅覆盖一层复合物栅覆盖层，以阻止栅的加厚，可以缩短栅到源/漏。

主权项

1.一种形成FinFET的方法，包括如下步骤：在一个硅衬底上形成一套具有翅片高度和翅片厚度的翅片；形成一个栅，含有的栅高度大于所述翅片高度，并与所述翅片在一个体区域交叉并通过一个栅绝缘体与之分开；淀积第一暂时材料到所述翅片上和所述栅高度下的第一水平；在所述栅上形成一个保形层；使用所述保形层作为一个硬掩膜，刻蚀所述暂时材料，由此形成所述栅之上的复合栅覆盖物并暴露所述翅片的边；以及增加所述翅片的厚度，而所述栅通过所述栅覆盖物与所述一套翅片隔离。