半导体器件

摘要

根据本发明的半导体器件包括输出MOS晶体管(M0)、连接在输出MOS晶体管(M0)的栅极(G1)和接地电压(GND)之间的MOS晶体管(M3)、与MOS晶体管(M3)并联并且以MOS晶体管(M3)的衬底端为基极的寄生晶体管(Tr1)，以及用于根据电源电压(Vcc)来控制寄生晶体管(Tr1)的导通状态的寄生晶体管控制电路。

主权项

1.一种半导体器件，包括：输出晶体管，其连接在第一电源端和输出端之间，并且根据施加到其电流控制端的信号通过输出电流；过电流保护元件，其连接在电流控制端和第二电源端之间；第一检测电路，其通过第一电源端被施加电压，用于检测流经输出晶体管的电流，以将检测信号提供给过电流保护元件的第一控制端；以及第二检测电路，其通过第一电源端被施加电压，用于检测流经输出晶体管的电流，以将检测信号提供给过电流保护元件的第二控制端，并且第二检测电路工作在低于第一检测电路的电压下。