发明名称 高频放大电路及使用该电路的移动通信终端
摘要 增益控制电路12包括作为可变电阻器工作的FET 41。将施加到栅极控制端子23的控制电压VC提供给FET41的栅极。将由参考电压电路13获得的参考电压Vref1提供给FET 41的源极和漏极。控制参考电压Vref1以便补偿FET 41的阈值电压的变化。FET 41的电阻值根据控制电压VC变化,并且因此高频放大电路10的增益也连续变化。
申请公布号 CN1738195A 申请公布日期 2006.02.22
申请号 CN200510084642.5 申请日期 2005.07.15
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 中山雅央;高木恒洋;稻森正彦;本吉要
分类号 H03G3/10(2006.01);H03F3/193(2006.01) 主分类号 H03G3/10(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 王英
主权项 1、一种具有可变增益的高频放大电路,包括:一个端子组,包括向其输入待放大的高频信号的信号输入端子、用于输出放大后的高频信号的信号输出端子、向其施加控制电压的增益控制端子以及向其施加参考电压的参考电压端子;放大器,设置在所述信号输入端子和所述信号输出端子之间,用于放大所述输入的高频信号;增益控制电路,设置在所述信号输入端子和所述信号输出端子之间且与所述放大器串联连接,用于根据施加到所述增益控制端子的所述控制电压来改变所述输入的高频信号的衰减;以及参考电压电路,用于从施加到所述参考电压端子上的所述参考电压来产生内部参考电压,并将所产生的内部参考电压提供给所述增益控制电路;其中:所述增益控制电路包括至少一个第一场效应晶体管,用于在其栅极接收所述控制电压,所述增益控制电路的电阻值根据所述给定的控制电压而变化;所述参考电压电路包括第二场效应晶体管,其阈值电压基本上等于所述至少一个第一场效应晶体管的阈值电压,所述第二场效应晶体管被设置来产生内部参考电压,该内部参考电压相对于所述参考电压偏移了所述阈值电压;所述增益控制电路利用连续变化的所述至少一个第一场效应晶体管的电阻值来连续地改变所述输入的高频信号的衰减;并且所述参考电压电路将所述内部参考电压提供给所述至少一个第一场效应晶体管的源极和/或漏极,由此抵消由所述至少一个第一场效应晶体管的阈值电压对所述增益控制电路中的所述高频信号的衰减的变化施加的影响。
地址 日本大阪府