| 发明名称 | 高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体材料领域的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的制备方法。本发明用等离子增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷和氢气为生长源气体，单晶硅材料作为衬底，利用单晶硅衬底的晶格匹配和有序结构诱导的作用，生长出高密度的纳米硅晶粒薄膜，并且其晶界厚度非常狭窄，为2－4个原子层，进一步通过改变磷烷掺杂比例，得到导电性能可控的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜。本发明制备的薄膜中的电子迁移率可以高达10<SUP>2</SUP>cm<SUP>2</SUP>/Vs量级，而且可以通过控制生长条件在很大范围内改变薄膜的电学输运性能，可以方便地调节薄膜的电子浓度、迁移率和电导率，适应半导体器件多方面的需要，另外还具有同目前成熟的硅工艺相结合的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN1737997A | 申请公布日期 | 2006.02.22 |
| 申请号 | CN200510027929.4 | 申请日期 | 2005.07.21 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 沈文忠;陈新义;丁古巧;陈红;何宇亮 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);C23C16/44(2006.01);C23C16/24(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
| 主权项 | 1、一种高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的制备方法，其特征在于，用等离子增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷和氢气为生长源气体，单晶硅材料作为衬底，利用单晶硅衬底的晶格匹配和有序结构诱导的作用，生长出高密度的纳米硅晶粒薄膜，并且其晶界厚度非常狭窄，为2-4个原子层，进一步通过改变磷烷掺杂比例，得到导电性能可控的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜。 | ||
| 地址 | 200240上海市闵行区东川路800号 | ||