| 发明名称 | 制造具有超浅超陡反向表面沟道的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造具有表面沟道结构的半导体器件的方法，该方法不用超低能量离子植入通过氧化硼化合物离子植入而提供SSR表面沟道掺杂；以及一种具有表面沟道结构的半导体器件的方法。用于形成半导体器件表面沟道的方法包括下列步骤：通过植入含硼的氟化硼化合物离子，在半导体衬底的表面下形成沟道掺杂层；进行退火工艺以去除在上述离子植入期间该沟道掺杂层内所注入的氟离子；进行表面处理工艺以去除在沟道掺杂层表面上所形成的本地氧化层，同时去除在该沟道掺杂层内所余留的氟离子；及利用选择性外延生长法，在该沟道掺杂层上生长外延层。 | ||
| 申请公布号 | CN1243372C | 申请公布日期 | 2006.02.22 |
| 申请号 | CN03142347.7 | 申请日期 | 2003.06.13 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 孙容宣 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/324(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 封新琴;巫肖南 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件的表面沟道的方法，包含下列步骤：a)通过植入含硼的氟化硼化合物离子，在半导体衬底的表面下形成沟道掺杂层；b)进行退火工艺以去除在上述离子植入期间在该沟道掺杂层内所注入的氟离子；c)在氢气气氛中进行表面处理工艺以去除在沟道掺杂层表面上所形成的本地氧化层，同时去除在该沟道掺杂层内所余留的氟离子；及d)利用选择性外延生长法，在该沟道掺杂层上生长外延层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||