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发明名称 Method for fabricating the MOSFET using selective silicidation
摘要
申请公布号 KR100552848(B1) 申请公布日期 2006.02.22
申请号 KR20030098317 申请日期 2003.12.27
申请人 发明人
分类号 H01L21/24 主分类号 H01L21/24
代理机构 代理人
主权项
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