| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有粘接层的有机薄膜晶体管(OTFT)和其制造方法。OTFT包括形成在衬底上的栅极、形成在栅极上和衬底的剩余暴露部分上的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的粘接层、形成在粘接层上的源/漏极、和形成在源/漏极和粘接层上的半导体层。栅绝缘层和半导体层是有机的，粘接层提供源/漏极和栅绝缘膜之间的粘接、防止栅漏电流、还提高接触电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN1738070A | 申请公布日期 | 2006.02.22 |
| 申请号 | CN200510103803.0 | 申请日期 | 2005.08.05 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 具在本;徐旼彻 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01);H01L51/40(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L51/05(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 韦欣华;段晓玲 |
| 主权项 | 1、一种薄膜晶体管(TFT)，包括：布置在衬底上的栅极；布置在栅极和衬底的暴露部分上的栅绝缘层；布置在栅绝缘层上的粘接层；布置在粘接层上的源/漏极，粘接层的暴露部分保持在源极和漏极之间；和布置在源/漏极上和粘接层的暴露部分上的半导体层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||