用于减少CMOS图像传感器中的暗电流的接地栅极和隔离技术

摘要

本发明提供一种用于隔离半导体器件的区域的隔离方法和器件。隔离结构和方法包括在场隔离区上方并与图像传感器的像素相邻地形成偏置栅极。隔离方法还包括在场隔离区的相当大部分上方形成隔离栅，以便隔离像素阵列中的像素。隔离方法和结构还包括在有源区中形成隔离沟槽，并用含硅的掺杂导电材料填充沟槽。还通过以下步骤提供一种用于隔离所述区域的方法和结构：在衬底的有源区中提供沟槽，在沟槽中生长外延层以填充沟槽或者部分地填充沟槽，并且在外延层上方和沟槽内淀积绝缘材料，从而完全填充沟槽。

主权项

1、一种用于隔离半导体器件中的区域的结构，所述结构包括：形成在相邻区域之间的图像传感器衬底中的沟槽；对所述沟槽的至少一个侧壁进行衬垫的氮化物衬里；在所述氮化物衬里上方的氧化物衬里；和在所述沟槽的底表面上与所述衬底接触并填充至少一部分所述沟槽的外延层。