| 发明名称 | 掺镱硅酸钇镥激光晶体及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种掺镱硅酸钇镥激光晶体及其制备方法，该晶体的化学式为：(Yb<SUB>x</SUB>Lu<SUB>y</SUB>Y<SUB>1－x－y</SUB>)<SUB>2</SUB>SiO<SUB>5</SUB>，其中x和y的取值范围是：0.001≤x≤0.5，0＜y≤0.8。本发明晶体采用提拉法生长，该晶体兼有宽发射半高宽、较高热导率和容易制备的优点，本发明生长的晶体有较大尺寸、晶体光学质量高、完整无开裂，可用于宽带调谐超快激光技术领域。 | ||
| 申请公布号 | CN1737219A | 申请公布日期 | 2006.02.22 |
| 申请号 | CN200510028599.0 | 申请日期 | 2005.08.09 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 严成锋;赵广军;徐军;苏良碧;徐晓东;张连翰;庞辉勇;宗艳花 |
| 分类号 | C30B29/34(2006.01);C30B15/00(2006.01) | 主分类号 | C30B29/34(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种掺镱硅酸钇镥激光晶体，特征是其化学式为：(YbxLuyY1-x-y)2SiO5，其中x和y的取值范围是：0.001≤x≤0.5，0＜y≤0.8。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||