用于制造半导体封装件的衬底,申请号CN200510081826.6-传众专利搜索

发明名称	用于制造半导体封装件的衬底
摘要	提供了一种半导体封装件的母衬底，借助于切割成小片，此母衬底能够提供用来生产半导体器件的多个单元衬底。此母衬底包括绝缘层；形成在绝缘层第一和第二表面上的导体图形；以及分别形成在绝缘层第一和第二表面上且覆盖导体图形的PSR(光焊料防护剂)层。此母衬底包括被通过绝缘层中心线的参考表面分割的上部和下部。当上部的等效热膨胀系数α<SUB>upper</SUB>由方程（式Ⅰ）定义时，其中，α<SUB>i</SUB>是构成上部的第一到第n组成部分(例如上部的绝缘层、导体图形、以及PSR层)的各自的热膨胀系数，E<SUB>i</SUB>是其各自的弹性模量，而v<SUB>i</SUB>是其各自的体积比率，且下部的等效热膨胀系数α中，α<SUB>j</SUB>是构成下部的第一到第m组成部分(例如下部的绝缘层、导体图形、以及PSR层)的各自的热膨胀系数，E<SUB>j</SUB>是其各自的弹性模量，而v<SUB>j</SUB>是其各自的体积比率，α<SUB>upper</SUB>对α1.165的范围内。
申请公布号	CN1738030A	申请公布日期	2006.02.22
申请号	CN200510081826.6	申请日期	2005.06.30
申请人	三星TECHWIN株式会社	发明人	张昌洙;柳在喆;元栋观
分类号	H01L23/12(2006.01);H01L23/498(2006.01)	主分类号	H01L23/12(2006.01)
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚
主权项	1.一种用来制造半导体器件的多个单元衬底的母衬底，此母衬底包含：具有彼此面对的第一和第二表面的绝缘层；分别形成在绝缘层第一和第二表面上的上部和下部导体图形；以及分别形成在绝缘层第一和第二表面上且覆盖上部和下部导体图形的至少一些区域的上部和下部光焊料防护剂即PSR层，其中，母衬底确定被通过绝缘层中心线的参考表面分割的上部和下部，其中，当上部的等效热膨胀系数αupper被定义为如下时：<math> <mrow> <msub> <mi>α</mi> <mi>upper</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>α</mi> <mi>b</mi> </msub> <msub> <mi>E</mi> <mi>b</mi> </msub> <msub> <mi>v</mi> <mi>b</mi> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>α</mi> <mi>c</mi> </msub> <msub> <mi>E</mi> <mi>c</mi> </msub> <msub> <mi>v</mi> <mi>c</mi> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>α</mi> <mi>p</mi> </msub> <msub> <mi>E</mi> <mi>p</mi> </msub> <msub> <mi>v</mi> <mi>p</mi> </msub> </mrow> <mrow> <msub> <mi>E</mi> <mi>b</mi> </msub> <msub> <mi>v</mi> <mi>b</mi> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>E</mi> <mi>c</mi> </msub> <msub> <mi>v</mi> <mi>c</mi> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>E</mi> <mi>p</mi> </msub> <msub> <mi>v</mi> <mi>p</mi> </msub> </mrow> </mfrac> </mrow> </math> 其中，αb、αc、αp分别是上部绝缘层、上部导体图形、以及上部PSR层的热膨胀系数，Eb、Ec、Ep分别是上部绝缘层、上部导体图形、以及上部PSR层的弹性模量，而vb、vc、Vp分别是上部绝缘层、上部导体图形、以及上部PSR层的体积比率，且当下部的等效热膨胀系数αlower被定义为如下时：<math> <mrow> <msub> <mi>α</mi> <mi>lower</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>α</mi> <mi>b</mi> </msub> <msub> <mi>E</mi> <mi>b</mi> </msub> <msub> <mi>v</mi> <mi>b</mi> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>α</mi> <mi>c</mi> </msub> <msub> <mi>E</mi> <mi>c</mi> </msub> <msub> <mi>v</mi> <mi>c</mi> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>α</mi> <mi>p</mi> </msub> <msub> <mi>E</mi> <mi>p</mi> </msub> <msub> <mi>v</mi> <mi>p</mi> </msub> </mrow> <mrow> <msub> <mi>E</mi> <mi>b</mi> </msub> <msub> <mi>v</mi> <mi>b</mi> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>E</mi> <mi>c</mi> </msub> <msub> <mi>v</mi> <mi>c</mi> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>E</mi> <mi>p</mi> </msub> <msub> <mi>v</mi> <mi>p</mi> </msub> </mrow> </mfrac> </mrow> </math> 其中，αb、αc、αp分别是下部绝缘层、下部导体图形、以及下部PSR层的热膨胀系数，Eb、Ec、Ep分别是下部绝缘层、下部导体图形、以及下部PSR层的弹性模量，而vb、vc、vp分别是下部绝缘层、下部导体图形、以及下部PSR层的体积比率，αupper对αlower的等效热膨胀系数比率即αupper/αlower被选择为在0.975-1.165的范围内。
地址	韩国庆尚南道