ELIMINATION OF POLY CAP FOR EASY POLY1 CONTACT FOR NAND FLOATING GATE MEMORY,申请号KR20007011491-传众专利搜索

发明名称	ELIMINATION OF POLY CAP FOR EASY POLY1 CONTACT FOR NAND FLOATING GATE MEMORY
摘要
申请公布号	KR100554089(B1)	申请公布日期	2006.02.22
申请号	KR20007011491	申请日期	2000.10.16
申请人		发明人
分类号	H01L21/8247	主分类号	H01L21/8247
代理机构		代理人
主权项
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