| 发明名称 | 原子层沉积方法 | ||
| 摘要 | 使第一前驱气体流向室内的基底，从而有效地在所述基底上形成第一单分子层。在所述室内，在表面微波等离子体条件下，使组成与第一前驱气体不同的第二前驱气体流向所述室内的第一单分子层，从而有效地使之同所述第一单分子层反应并在所述基底上形成第二单分子层，所述第二单分子层的组成与所述第一单分子层不同。所述第二单分子层包括所述第一单分子层和第二前驱气体的成分。在一种实施方式中，连续重复所述第一和第二前驱气体的流动，从而有效地在所述基底上形成大量具有所述第二单分子层的组成的材料。附加的及其它的实施方式也包括在内。 | ||
| 申请公布号 | CN1739188A | 申请公布日期 | 2006.02.22 |
| 申请号 | CN200380108641.9 | 申请日期 | 2003.11.12 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | T·T·多恩;G·T·布拉洛克;G·S·桑胡 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/285(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 范赤;段晓玲 |
| 主权项 | 1.一种原子层沉积方法，其包括：将半导体基底设置在原子层沉积室内；使第一前驱气体流向所述室内的基底，从而有效地在所述基底上形成第一单分子层；在所述室内，在表面微波等离子体条件下，使与第一前驱气体组成不同的第二前驱气体流向所述室内的第一单分子层，从而有效地使之同所述第一单分子层反应，并在所述基底上形成第二单分子层，所述第二单分子层与所述第一单分子层的组成不同，所述第二单分子层包括所述第一单分子层和所述第二前驱气体的成分；以及连续重复所述第一和第二前驱气体的流动从而有效地在基底上形成大量具有所述第二单分子层组成的材料。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||