| 发明名称 | 光刻胶的去除 | ||
| 摘要 | 本发明公开了用于半导体加工的组合物和方法。在一实施方案中，提供了去除光刻胶用的湿法清洗组合物。该组合物包含强碱；氧化剂和极性溶剂。在另一实施方案中，提供了去除光刻胶的方法。该方法包括如下步骤：涂覆包含约0.1－约30wt％强碱；约1－约30wt％氧化剂；约20－约95wt％极性溶剂的湿法清洗组合物；并去除光刻胶。 | ||
| 申请公布号 | CN1739064A | 申请公布日期 | 2006.02.22 |
| 申请号 | CN200380109011.3 | 申请日期 | 2003.12.17 |
| 申请人 | 高级技术材料公司 | 发明人 | 大卫·W·明塞克;梅利沙·K·拉思;大卫·D·伯恩哈德;托马斯·H·鲍姆 |
| 分类号 | G03C5/00(2006.01);B08B3/00(2006.01) | 主分类号 | G03C5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 樊卫民;杨青 |
| 主权项 | 1.清洗溶液，包括：极性溶剂；和当占所述溶液的不超过约3.5wt％时，使所述溶液的pH大于约11.5的碱。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||