| 主权项 |
1.一种减少制程环境内之杂质的方法,包括:在用于半导体制程之一待制物上形成一保护结构,以避免制程环境内之杂质微粒污染该待制物;以及在该保护结构表面之任一区域形成一吸附膜,以吸附处于该制程环境内之杂质微粒。2.如申请专利范围第1项所述之减少制程环境内之杂质的方法,其中该待制物系包括一晶圆或一光罩。3.如申请专利范围第1项所述之减少制程环境内之杂质的方法,其中该保护结构系包括至少一框架。4.如申请专利范围第3项所述之减少制程环境内之杂质的方法,其中该框架所围底部由一透明底板组成。5.如申请专利范围第3项所述之减少制程环境内之杂质的方法,其中该框架系具有一非平坦表面,且该吸附膜系形成于该非平坦表面上,以增加该吸附膜之表面积。6.如申请专利范围第3项所述之减少制程环境内之杂质的方法,其中该框架系包括一银制框架或一含镍框架,以在该保护结构表面之任一区域直接形成吸附膜。7.如申请专利范围第1项所述之减少制程环境内之杂质的方法,其中该杂质系包括至少一硫化物或至少一氮氢化物。8.如申请专利范围第7项所述之减少制程环境内之杂质的方法,其中该硫化物为至少包括一硫酸根离子以及该氮氢化物为至少包括一铵根离子。9.如申请专利范围第1项所述之减少制程环境内之杂质的方法,其中该吸附膜系包括至少一含银薄膜或至少一含镍薄膜。10.如申请专利范围第1项所述之减少制程环境内之杂质的方法,其中形成该吸附膜之步骤系包括化学气相沈积、物理气相沈积、电镀、溅镀或旋转涂布技术。11.如申请专利范围第5项所述之减少制程环境内之杂质的方法,其中该非平坦表面系由喷砂法、蚀刻法、凹蚀法、沈积法等去平坦化制程制得之。12.一种减少制程环境内之杂质的装置,包括:一用于半导体制程之待制物,置于一制程环境中;一保护结构,设置于一用于半导体制程之待制物上,以避免制程环境内之杂质微粒污染该特制物;以及一吸附膜,位于该保护结构表面之任一区域,以吸附处于该制程环境内之杂质微粒。13.如申请专利范围第12项所述之减少制程环境内之杂质的装置,其中该待制物系包括一晶圆或一光罩。14.如申请专利范围第12项所述之减少制程环境内之杂质的装置,其中该保护结构系包括至少一框架。15.如申请专利范围第14项所述之减少制程环境内之杂质的装置,其系在该框架所围底部由一透明底板组成。16.如申请专利范围第14项所述之减少制程环境内之杂质的装置,其中该框架系具有一非平坦表面,且该吸附膜系形成于该非平坦表面上,以增加该吸附膜之表面积。17.如申请专利范围第14项所述之减少制程环境内之杂质的装置,其中该框架系包括一铝制框架、一银制框架及一含镍框架,以在该保护结构表面之任一区域直接形成吸附膜。18.如申请专利范围第12项所述之减少制程环境内之杂质的装置,其中该杂质系包括至少一硫化物或至少一氮氢化物。19.如申请专利范围第18项所述之减少制程环境内之杂质的装置,其中该硫化物为至少一硫酸根离子以及该氮氢化物为至少一铵根离子。20.如申请专利范围第12项所述之减少制程环境内之杂质的装置,其中该吸附膜系包括至少一银膜或至少一含镍膜层。21.一种减少制程环境内之杂质的装置,包括:一用于半导体制程之待制物,置于一制程环境中;一框架,设置于一用于半导体制程之待制物上,其中该框架由一吸附材料构成,以吸附处于该制程环境内之杂质微粒;以及一透明底板,设置于该框架所围之底部,以避免制程环境内之杂质微粒污染该待制物。22.如申请专利范围第21项所述之减少制程环境内之杂质的装置,其中该待制物系包括一晶圆或一光罩。23.如申请专利范围第21项所述之减少制程环境内之杂质的装置,其中该框架系具有一非平坦表面。24.如申请专利范围第21项所述之减少制程环境内之杂质的装置,其中该框架系包括一银制框架及一含镍框架。25.如申请专利范围第21项所述之减少制程环境内之杂质的装置,其中该杂质系包括至少一硫化物或至少一氮氢化物。26.如申请专利范围第25项所述之减少制程环境内杂质的装置,其中该硫化物为至少一硫酸根离子以及该氮氢化物为至少一铵根离子。27.如申请专利范围第21项所述之减少制程环境内之杂质的装置,其系包括于该吸附材料表面之任一区域形成一吸附膜,以吸附处于该制程环境内之杂质微粒。28.如申请专利范围第27项所述之减少制程环境内之杂质的装置,其中该吸附膜系包括至少一含银薄膜或至少一含镍薄膜。29.如申请专利范围第27项所述之减少制程环境内之杂质的装置,其中该吸附膜系形成于具有非平坦表面之框架上,以增加该吸附膜之表面积。图式简单说明:第1图为一制程流程图,其绘示依据本发明之一或多个实施例中所使用之减少制程环境内杂质的方法。第2图为一剖面示意图,其绘示依据第1图之方法所建构之减少制程环境内杂质的装置。第3图为一剖面示意图,其绘示依据本发明揭露所建构之保护结构。第4图为一剖面示意图,其绘示依据本发明揭露所建构之保护结构。 |
