| 主权项 |
1.一种内埋元件之基板制程,包括:提供一第一金属层以及一内埋元件,该第一金属层至少具有二第一凸点,其对应连接该内埋元件;放置该内埋元件于一核心层之一埋孔中;提供一第二金属层,且该第二金属层至少具有二第二凸点,其对应该内埋元件;依序压合该第一金属层、该核心层以及该第二金属层,以使该二第一凸点与该二第二凸点分别电性连接该内埋元件;图案化该第一金属层,以形成一第一线路层;以及图案化该第二金属层,以形成一第二线路层,且该内埋元件电性连接于该第一线路层与该第二线路层之间。2.如申请专利范围第1项所述之内埋元件之基板制程,其中该核心层系由一第一介电层、一第二介电层以及一第三介电层依序堆叠而成,该第一与第三介电层呈半固化态,而该第二介电层呈固化态。3.如申请专利范围第2项所述之内埋元件之基板制程,其中该第一与第三介电层于压合该第一金属层、该核心层以及该第二金属层之步骤中,更可填入于该埋孔中,并包覆于该内埋元件之周围表面。4.如申请专利范围第2项所述之内埋元件之基板制程,其中该核心层之该埋孔系为一贯孔,其贯穿该第一、第二与第三介电层。5.如申请专利范围第1项所述之内埋元件之基板制程,其中该核心层系由多层介电层依序堆叠而成,而该些介电层之至少一系呈半固化态。6.如申请专利范围第5项所述之内埋元件之基板制程,其中该半固化态介电层于压合该该第一金属层、核心层以及该第二金属层之步骤中,更可填入于该埋孔中,并包覆于该内埋元件之周围表面。7.如申请专利范围第5项所述之内埋元件之基板制程,其中该核心层之该埋孔系为一贯孔,其贯穿该些介电层。8.如申请专利范围第1项所述之内埋元件之基板制程,其中形成该埋孔之方式包括机械钻孔或雷射成孔。9.如申请专利范围第1项所述之内埋元件之基板制程,其中压合该第一金属层、该核心层与该第二金属层之步骤中,更包括于该第一金属层配置该二第一凸点之表面形成一第四介电层,再压合该第四介电层于该核心层与该第一金属层之间。10.如申请专利范围第9项所述之内埋元件之基板制程,其中该第四介电层呈半固化态。11.如申请专利范围第1项所述之内埋元件之基板制程,其中压合该第一金属层、该核心层之步骤中,更包括于该第二金属层配置该二第二凸点之表面形成一第五介电层,再压合该第五介电层于该核心层与该第二金属层之间。12.如申请专利范围第11项所述之内埋元件之基板制程,其中该第五介电层呈半固化态。13.如申请专利范围第1项所述之内埋元件之基板制程,其中该内埋元件包括主动元件或被动元件。14.一种内埋元件之基板制程,包括:放置一内埋元件于一核心层之一埋孔中;提供一第一金属层,该第一金属层至少具有二第一凸点,其对应该内埋元件;提供一第二金属层,该第二金属层至少具有二第二凸点,其对应该内埋元件;依序压合该第一金属层、该核心层以及该第二金属层,以使该二第一凸点与该二第二凸点分别电性连接该内埋元件;图案化该第一金属层,以形成一第一线路层;以及图案化该第二金属层,以形成一第二线路层,且该内埋元件电性连接于该第一线路层与该第二线路层之间。15.如申请专利范围第14项所述之内埋元件之基板制程,其中该核心层系由一第一介电层、一第二介电层以及一第三介电层依序堆叠而成,该第一与第三介电层呈半固化态,而该第二介电层呈固化态。16.如申请专利范围第15项所述之内埋元件之基板制程,其中该第一与第三介电层于压合该第一金属层、该核心层以及该第二金属层之步骤中,更可填入于该埋孔中,并包覆于该内埋元件之周围表面。17.如申请专利范围第15项所述之内埋元件之基板制程,其中该核心层之该埋孔系为一贯孔,其贯穿该第一、第二与第三介电层。18.如申请专利范围第14项所述之内埋元件之基板制程,其中该核心层系由多层介电层依序堆叠而成,而该些介电层之至少一系呈半固化态。19.如申请专利范围第18项所述之内埋元件之基板制程,其中该半固化态介电层于压合该该第一金属层、核心层以及该第二金属层之步骤中,更可填入于该埋孔中,并包覆于该内埋元件之周围表面。20.如申请专利范围第18项所述之内埋元件之基板制程,其中该核心层之该埋孔系为一贯孔,其贯穿该些介电层。21.如申请专利范围第14项所述之内埋元件之基板制程,其中形成该埋孔之方式包括机械钻孔或雷射成孔。22.如申请专利范围第14项所述之内埋元件之基板制程,其中压合第一金属层、该核心层与该第二金属层之步骤中,更包括于该第一金属层配置该二凸点之表面形成一第四介电层,再压合该第四介电层于该核心层与该第一金属层之间。23.如申请专利范围第22项所述之内埋元件之基板制程,其中该第四介电层呈半固化态。24.如申请专利范围第14项所述之内埋元件之基板制程,其中压合该第一金属层、该核心层之步骤中,更包括于该第二金属层配置该二第二凸点之表面形成一第五介电层,再压合该第五介电层于该核心层与该第二金属层之间。25.如申请专利范围第24项所述之内埋元件之基板制程,其中该第五介电层呈半固化态。26.如申请专利范围第14项所述之内埋元件之基板制程,其中该内埋元件包括主动元件或被动元件。27.一种内埋元件之基板结构,包括:一核心层,具有一第一表面以及一第二表面,该核心层系由多层介电层堆叠而成,且该些介电层包括至少一半固化态介电层;一第一线路层,位于该第一表面上,该第一线路层至少具有二第一凸点;一第二线路层,位于该第二表面上,该第二线路层至少具有二第二凸点;以及一内埋元件,配置于该核心层中,并以该半固化态介电层所包覆,且该内埋元件电性连接该二第一凸点以及该二第二凸点。28.如申请专利范围第27项所述之内埋元件之基板结构,其中该些介电层还包括至少一固化态介电层,而该半固化态介电层与该固化态介电层相叠。29.如申请专利范围第27项所述之内埋元件之基板结构,其中该核心层系由多数个半固化态介电层堆叠而成。31.如申请专利范围第27项所述之内埋元件之基板结构,其中该内埋元件包括主动元件或被动元件。图式简单说明:图1~图5绘示本发明第一实施例之一种内埋元件之基板制程的示意图。图6~图10绘示本发明第二实施例之一种内埋元件之基板制程的示意图。图11~图14绘示本发明第三实施例之一种内埋元件之基板制程的示意图。图15~图18绘示本发明第四实施例之一种内埋元件之基板制程的示意图。 |
