发明名称 利用电导性连接部之发光二极体装置
摘要 本发明系有关于一种发光二极体装置、其制造方法、以及一种使用此发光二极体装置之发光单元。此发光二极体装置包括(a)发光二极体部;(b)导电性垫部,其系位于发光二极体部外面,且与外部电源电连接;以及(c)至少一导电性连接部,用以连接导电性垫部至发光二极体部之一侧或两侧。在此发光二极体装置中,导线与位于发光二极体部外面之导电性垫部连接,而导电性垫部是藉由至少一导电性连接部与发光二极体部之一侧连接,使得不仅均匀地涂覆萤光物质是容易的,而且可减少覆盖垂直发出的光之面积,以加强发光二极体装置之取光效率。
申请公布号 TWI269469 申请公布日期 2006.12.21
申请号 TW094132500 申请日期 2005.09.20
申请人 LG化学公司 发明人 姜宗勋;李宰承;辛富建;河植;崔浩;柳民儿
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 吴冠赐 台北市松山区敦化北路102号9楼;杨庆隆 台北市松山区敦化北路102号9楼;苏建太 台北市松山区敦化北路102号9楼
主权项 1.一种发光二极体装置,其包括:(a)一发光二极体部;(b)一导电性垫部,其系位于该发光二极体部外面,且与一外部电源电连接;以及(c)至少一导电性连接部,用以连接该导电性垫部与该发光二极体部之一侧或二侧。2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体装置,其中,该连接部是以薄膜沈积来形成图样。3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体装置,其中,该连接部是由至少一选自由Ag、Cu、Au、Al、Ti、Ni、Cr、Rh、Ir、Mo、W、Co、Zn、Cd、Ru、In、Os、Fe和Sn所组成之群组之金属元素所制成的。4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体装置,其中,该导电性垫部是经由一导线与该外部电源连接。5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体装置,其中,装备有至少一导电性垫部。6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体装置,其中,该导电性垫部是由至少一选自由Au、Ag、Cu、Al、Cr、Ti、Ni、In和Pt所组成之群组之金属元素所制成的。7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体装置,其中,该发光二极体部与该导电性垫部系位于相同基板上。8.如申请专利范围第7项所述之发光二极体装置,其中,该基板为一导电性基板,该导电性垫部藉由一绝缘层与该基板电绝缘,该发光二极体部之一侧经由一导线或该导电性基板与该外部电源电连接,而该发光二极体部之另一侧经由该连接部与该导电性垫部电连接。9.如申请专利范围第1项所述之发光二极体装置,其中,于一连接路径上形成一绝缘层,该连接部沿着该连接路径连接该发光二极体部之一表面与该导电性垫部,该连接部形成于该绝缘层上,该发光二极体部之一接触部分与该连接部电连接。10.如申请专利范围第9项所述之发光二极体装置,其中,该绝缘层是透明的。11.如申请专利范围第9项所述之发光二极体装置,其中,该绝缘层之宽度较该连接部之宽度宽,而且该连接部之宽度较该导线之宽度窄。12.如申请专利范围第1项所述之发光二极体装置,其中,与该连接部连接之该发光二极体部之表面为一欧姆接触金属层。13.如申请专利范围第12项所述之发光二极体装置,其中,该欧姆接触金属层形成为一个图样或至少二个分开的图样,且该(些)图样与至少一连接部连接。14.如申请专利范围第1项所述之发光二极体装置,其中,涂覆一萤光物质(磷光体)于与该连接部连接之该发光二极体部表面上。15.如申请专利范围第1项所述之发光二极体装置,其中,该发光二极体部包含一n-型层、一p-型层以及一形成于该n-型层和该p-型层之间的发光层,而且使用III-V族化合物半导体来作为该发光二极体部之该些层。16.如申请专利范围第1项所述之发光二极体装置,其中,该发光二极体部系以雷射剥离(LLO)方法制造而成。17.一种发光单元,其系包含申请专利范围第1至16项所述任一项中之发光二极体装置。18.一种制造发光二极体装置之方法,该方法包括以下步骤:(a)于一基板上形成至少一导电性垫部;(b)于该基板上接合一制备好之发光二极体部;以及(c)形成至少一导电性连接部,以连接该导电性垫部至该发光二极体部之一侧或两侧。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其更包括在步骤(b)和(c)之间于该发光二极体部之一侧或两侧上沈积一欧姆接触金属层之步骤。20.如申请专利范围第18项所述之方法,在步骤(c)之后,更包括依以下顺序或相反顺序之步骤:(i)藉由导线接合将该导电性垫部与一外部电源连接;(ii)以萤光物质(磷光体)涂覆该发光二极体部与该连接部之部分或全部表面。21.一种制造发光二极体装置之方法,该方法包括以下步骤:(a)于一生长于一第一基板上之发光二极体部之一p-型层上,沈积一p-欧姆接触金属层;(b)磨光该第一基板之背面;(c)将生长于该发光二极体部上之该第一基板分成单元晶片;(d)将分成单元晶片的第一基板中发光二极体部的p-欧姆接触金属层接合在形成于一第二基板上的二导电性垫部中的第一导电性垫部上;(e)于黏结于该第二基板上的单元晶片之该第一基板表面上辐射一雷射光束,以移除该第一基板;(f)于该发光二及体部之一n-型层上沈积一n-欧姆接触金属层,当该第一基板被移除时,该发光二极体部之该n-型层是暴露的;(g)于一连接一n-欧姆接触金属层表面与一位于该第二基板上的第二导电性垫部之连接路径上形成一绝缘层,然后形成至少一连接该n-欧姆接触金属层表面与该导电性垫部之连接部;以及(h)导线接合而将该第一和第二导电性垫部各别与一外部电源连接,之后涂覆一萤光物质或处理一与一萤光物质混合之模塑材料。22.一种制造发光二极体装置之方法,该方法包括以下步骤:(a)蚀刻一生长于一第一基板上之发光二极体部,以暴露其一n-型层,之后于该n-型层上沈积一n-欧姆接触金属层;(b)于该发光二极体部顶部之一p-型层上沈积一p-欧姆接触金属层;(c)磨光该第一基板之基板表面,之后将该第一基板分成单元晶片;(d)将分离的单元晶片之第一基板表面接合于一形成有一导电性垫部之第二基板上;(e)于一连接一p-欧姆接触金属层表面与一位于该第二基板上的导电性垫部之连接路径上形成一绝缘层,然后形成至少一连接该p-欧姆接触金属层表面与该导电性垫部之连接部;以及(f)导线接合而将该导电性垫部与一外部电源连接,之后涂覆一萤光物质或处理一与一萤光物质混合之模塑材料。图式简单说明:图1系显示低输出的GaN类的发光二极体装置之结构剖视图。图2系显示高输出的GaN类的覆晶发光二极体装置之结构剖视图。图3a和3b系发光二极体装置之剖视图,其中具有直接与其连接的导线之发光二极体部表面上具有以彼此不同方式涂覆之萤光物质。图4系显示依据本发明于发光二极体部表面上涂覆萤光物质之程序示意图,导电性垫部系经由导电性连接部与发光二极体部表面连接,导电性连接部为藉由图样成形所沈积之薄膜形式。图5系显示依据本发明于GaN类的、且于发光二极体部上涂覆有萤光物质之LLO(雷射剥离)发光二极体装置之单元晶片剖视图,导电性垫部系经由导电性连接部与发光二极体部连接,导电性连接部为藉由图样成形所沈积之薄膜形式。图6系传统GaN类的、且于发光二极体部上存在有导线接合部的LLO发光二极体装置之上视图。图7系发光二极体装置之上视图,其依据本发明之较佳具体实例于发光二极体部外面配置有导电性垫部,其系藉由沈积二种不互相连接的图样的形式之欧姆接触金属层所获得,于连接路径上配置有透明的绝缘层,沿此连接路径将形成连接欧姆接触金属层与导电性垫部之连接部,之后于透明绝缘层上形成连接部,使得连接部位于欧姆接触金属层图样之两侧。图8系发光二极体装置之上视图,其依据本发明之较佳变化于发光二极体部外面配置有导电性垫部,其系藉由沈积二种不互相连接的图样的形式之欧姆接触金属层所获得,于连接路径上配置有透明的绝缘层,沿此连接路径将形成连接欧姆接触金属层与导电性垫部之连接部,之后于透明绝缘层上形成连接部,使得连接部位于欧姆接触金属层图样之两侧。图9系发光二极体装置之上视图,其依据本发明之另一较佳变化于发光二极体部外面配置有导电性垫部,其系藉由沈积一种图样形式的欧姆接触金属层所获得,而且仅于欧姆接触金属层图样之一侧形成一个连接部。图10系发光二极体装置之上视图,其依据本发明之另一较佳变化于发光二极体部外面配置有导电性垫部,其系藉由在沈积欧姆接触金属层之前,于连接欧姆接触金属层与导电性垫部的连接部的连接路径上形成透明的绝缘层所获得,然后同时形成连接部 与欧姆接触金属层。图11系显示依据本发明之高输出的、具有连接部的LLO发光二极体装置之制造程序示意图。图12系显示导电性垫部关于单元晶片全部区域的面积比之图。
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