发明名称 导电纳米二氧化硅的合成方法
摘要 本发明公开了一种导电纳米SiO<SUB>2</SUB>的合成方法,步骤依次为:配制硅酸酯溶液、硅酸钠或硅酸钾溶液;加入复合表面活性剂,搅拌;加酸溶液,调节pH值到6~9;加入含Sn、Sb、In或Ti中的至少一种离子的盐酸盐或硫酸盐溶液,搅拌;将所得产物过滤、洗涤、烘干,得粒径为20~80nm的白色或浅白色粉末,其分散均匀,颜色稳定性好,电阻率低,抗静电效果好。本发明的合成方法简单,生产成本低廉。
申请公布号 CN1737949A 申请公布日期 2006.02.22
申请号 CN200510035715.1 申请日期 2005.07.08
申请人 广州市精埔新材料科技有限公司 发明人 李玲
分类号 H01B1/14(2006.01) 主分类号 H01B1/14(2006.01)
代理机构 广州市华学知识产权代理有限公司 代理人 陈燕娴
主权项 1、一种导电纳米二氧化硅的合成方法,其特征在于依次包括如下步骤:A、配制重量百分比浓度为5%~30%的硅酸酯溶液、硅酸钠或硅酸钾溶液;B、加入复合表面活性剂,搅拌;C、加入酸溶液,调节pH值到6~9;D、加入含Sn、Sb、In或Ti中的至少一种离子的盐酸盐或硫酸盐溶液,Sn、Sb、In、Ti的总摩尔浓度为0.1%~10%,搅拌;E、将D步骤所得产物过滤、洗涤、烘干,得粒径为20~80nm的白色或浅白色粉末。
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