发明名称 |
导电纳米二氧化硅的合成方法 |
摘要 |
本发明公开了一种导电纳米SiO<SUB>2</SUB>的合成方法,步骤依次为:配制硅酸酯溶液、硅酸钠或硅酸钾溶液;加入复合表面活性剂,搅拌;加酸溶液,调节pH值到6~9;加入含Sn、Sb、In或Ti中的至少一种离子的盐酸盐或硫酸盐溶液,搅拌;将所得产物过滤、洗涤、烘干,得粒径为20~80nm的白色或浅白色粉末,其分散均匀,颜色稳定性好,电阻率低,抗静电效果好。本发明的合成方法简单,生产成本低廉。 |
申请公布号 |
CN1737949A |
申请公布日期 |
2006.02.22 |
申请号 |
CN200510035715.1 |
申请日期 |
2005.07.08 |
申请人 |
广州市精埔新材料科技有限公司 |
发明人 |
李玲 |
分类号 |
H01B1/14(2006.01) |
主分类号 |
H01B1/14(2006.01) |
代理机构 |
广州市华学知识产权代理有限公司 |
代理人 |
陈燕娴 |
主权项 |
1、一种导电纳米二氧化硅的合成方法,其特征在于依次包括如下步骤:A、配制重量百分比浓度为5%~30%的硅酸酯溶液、硅酸钠或硅酸钾溶液;B、加入复合表面活性剂,搅拌;C、加入酸溶液,调节pH值到6~9;D、加入含Sn、Sb、In或Ti中的至少一种离子的盐酸盐或硫酸盐溶液,Sn、Sb、In、Ti的总摩尔浓度为0.1%~10%,搅拌;E、将D步骤所得产物过滤、洗涤、烘干,得粒径为20~80nm的白色或浅白色粉末。 |
地址 |
510760广东省广州市黄埔科技创业园埔南路18号 |