发明名称 辨识劣品基板之方法
摘要 一种辨识劣品基板之方法,系包括:提供一由多数基板单元构成之基板片(Substrate Strip),该基板片内具有至少一损坏基板单元,且各基板单元表面上分别形成有至少一可供机台辨识之第一标记(例如基准点(FiducialMark));以雷射烧除该损坏基板单元表面之第一标记,并同时于该损坏基板单元上之封装线外之基板表面上烧制至少一第二标记(例如雷射标记(Laser Mark)),使标记完成之基板片得以送入机台进行后续封装制程。雷射烧除及雷射标记仅在基板表面加工,无须使用油墨标记,因此可以免除油墨扩散造成之污染问题。
申请公布号 TWI249801 申请公布日期 2006.02.21
申请号 TW092137575 申请日期 2003.12.31
申请人 矽品精密工业股份有限公司 发明人 林恩立;苏君德;刘世耀;陈金发;黄焜铭
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 陈昭诚 台北市中正区博爱路80号6楼
主权项 1.一种辨识劣品基板之方法,系包括: 提供一由多数基板单元构成之基板片,该基板片包 含有至少一损坏基板单元,且各基板单元内分别形 成有至少一供制程机台辨识之第一标记;以及 去除该损坏基板单元上之第一标记,并于该损坏基 板单元之封装线外之基板片上以雷射形成至少一 第二标记。 2.如申请专利范围第1项之辨识劣品基板之方法,其 中,该辨识方法系在上片作业实施前为之。 3.如申请专利范围第1项之辨识劣品基板之方法,其 中,该第一标记系形成于该损坏基板单元之上表面 。 4.如申请专利范围第3项之辨识劣品基板之方法,其 中,该第一标记系形成于该基板单元上表面上预设 之晶片接置区之角端位置。 5.如申请专利范围第1项之辨识劣品基板之方法,其 中,该第一标记系为一机台光学辨识基准点(Fiducial Mark)。 6.如申请专利范围第1项之辨识劣品基板之方法,其 中,该第一标记之去除方法系为一雷射烧除方法。 7.如申请专利范围第6项之辨识劣品基板之方法,其 中,该雷射烧除方法所用之能量来源为二氧化碳雷 射。 8.如申请专利范围第1项之辨识劣品基板之方法,其 中,该第二标记系以二氧化碳雷射打入基板表面所 形成。 9.如申请专利范围第1项之辨识劣品基板之方法,其 中,该第二标记之深度小于构成基板表面之拒焊剂 层厚度。 10.如申请专利范围第1项之辨识劣品基板之方法, 其中,该第二标记之深度系在20微米以下。 11. 一种辨识劣品基板之方法,系包括: 提供一由多数基板单元构成之基板片,该基板片包 含有至少一损坏基板单元,且各基板单元内分别形 成有至少一供制程机台辨识之第一标记及位于该 第一标记反侧之球垫区域;以及 去除该损坏基板单元上之第一标记,并于该球垫区 域上以雷射方式形成至少一第二标记。 12.如申请专利范围第11项之辨识劣品基板之方法, 其中,该辨识方法系在上片作业实施前为之。 13.如申请专利范围第11项之辨识劣品基板之方法, 其中,该第一标记系形成于该损坏基板单元之上表 面。 14.如申请专利范围第13项之辨识劣品基板之方法, 其中,该第一标记系形成于该基板单元上表面上预 设之晶片接置区之角端位置。 15.如申请专利范围第11项之辨识劣品基板之方法, 其中,该第一标记系为一机台光学辨识基准点( Fiducial Mark)。 16.如申请专利范围第11项之辨识劣品基板之方法, 其中,该第一标记之去除方法系为一雷射烧除方法 。 17.如申请专利范围第11项之辨识劣品基板之方法, 其中,该球垫区域系形成于该损坏基板单元之下表 面。 18.如申请专利范围第16项之辨识劣品基板之方法, 其中,该雷射烧除方法所用之能量来源为二氧化碳 雷射。 19.如申请专利范围第11项之辨识劣品基板之方法, 其中,该第二标记系以二氧化碳雷射打入基板表面 而形成者。 图式简单说明: 第1图系本发明辨识劣品基板之方法未雷射处理前 之基板片上视示意图; 第2图系本发明辨识劣品基板之方法进行雷射烧除 后之基板片上视示意图; 第3图系本发明辨识劣品基板之方法进行雷射标记 后之基板片上视示意图; 第4图系本发明辨识劣品基板之方法之连续动作示 意图; 第5图系本发明辨识劣品基板之方法封装完成后之 基板片上视示意图; 第6图系本发明辨识劣品基板方法之第二实施例之 动作示意图; 第7图系习知以油墨标记损坏基板单元之上视示意 图; 第8图系美国专利第6,468,813号案之习知基板片之上 视示意图; 第9图系美国专利第6,021,563号案之习知基板片之立 体示意图;以及 第10图系美国专利第6,392,289号案之习知基板片之 上视示意图。
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