| 主权项 |
1.一种处理设备,其包含用处理溶液处理的一基板, 包括: 贮存处理溶液的一处理容器; 将基板握持在该处理容器内的一握持机构; 一振荡源,其安排在垂直于被该握持机构握持的基 板表面的方向中的一既定位置;以及 使被握持机构握持的基板旋转的一构造。 2.如申请专利范围第1项之设备,其中该构造将旋转 力经由一实体构件传到基板。 3.如申请专利范围第2项之设备,其中该构造藉由使 握持机构旋转而使基板旋转。 4.如申请专利范围第1项之设备,其中该构造藉由形 成溶液流而使基板旋转。 5.如申请专利范围第4项之设备,其中该构造在该处 理容器内形成处理溶液旋转流或涡流而使基板旋 转。 6.如申请专利范围第1项之设备,其中该构造有一供 应用将处理溶液供至该处理容器内以在该处理容 器内形成处理溶液流,并且该构造藉由处理溶液流 使基板旋转。 7.如申请专利范围第1项之设备,更包括一排放部将 处理溶液排放到基板表面而将处理基板时会产生 的泡泡移除。 8.如申请专利范围第7项之设备,其中该排放部将处 理溶液排放到基板表面的一局部区域。 9.如申请专利范围第7项之设备,更包括一驱动机构 以在处理基板期间使该排放部移动。 10.如申请专利范围第9项之设备,其中该驱动机构 使该排放部往复移动,俾连续地将该排放部排出的 处理溶液注到基板整个表面。 11.如申请专利范围第1项之设备,更包括一机构来 将处理溶液除气。 12.如申请专利范围第1项之设备,更包括一容室以 在一空间形成一低压环境,该空间至少一部分为该 处理容器内的处理溶液露出处。 13.如申请专利范围第1项之设备,更包括一容室以 容纳该处理容器并在该处理容器周围形成一低压 环境。 14.一种制造半导体基板之方法,包括以下步骤: 将一第二基板结合到一第一基板一非孔半导体层 的一侧而制备一叠结合基板,第一基板具有在一多 孔层上的非多孔半导体基板; 将该叠结合基板处理或制做以制备一中间基板,其 中非多孔半导体层在第二基板上,而且多孔层至少 部分残留在非多孔半导体层;以及 在使中间基板旋转之时用一处理溶液对中间基板 的残留多孔层进行选择性蚀刻。 图式简单说明: 图1为本发明蚀刻设备(处埋设备)一较佳实施例概 示构造图; 图2为蚀刻设备(处理设备)一改良例之概示构造图; 图3A和3B为旋转机构一例,其以流体流使基板旋转; 图4为旋转机构一例,其以实体构件使基板旋转; 图5为用于多孔矽部选择性蚀刻的机构图; 图6为传统蚀刻设备概示构造说明图; 图7为不均匀蚀刻说明图; 图8为适合均匀蚀刻的基板和超音波振荡器安排关 系图; 图9为局部蚀刻加速法说明图; 图10A至10C为SOI基板制造步骤说明图; 图11A至11C为有一多孔区和一非多孔区的基板应用 例说明图。 图12为阳极化设备一例视图。 |
