| 主权项 |
1.一种氟添加碳膜之形成方法,其系于被处理基板 上形成氟添加碳膜之氟添加碳膜之形成方法;其特 征在于包含: 藉由基板处理装置电浆激发稀有气体,藉由电浆激 发之前述稀有气体进行前述被处理基板之表面处 理的第1步骤, 以及于前述被处理基板上形成氟添加碳膜之第2步 骤; 前述基板处理装置含有以面对于前述被处理基板 之方式设置之微波透过窗,自设置于前述微波透过 窗上之与微波电源电气性连接之微波天线,介以前 述微波窗将微波导入至前述被处理基板上之处理 空间,以电浆激发包含前述稀有气体之电浆气体。 2.如请求项1之氟添加碳膜之形成方法,其中前述第 2步骤系于前述第1步骤中进行前述表面处理之前 述被处理基板上形成氟添加碳膜者。 3.如请求项1之氟添加碳膜之形成方法,其中前述基 板处理装置包含藉由外壁区隔成之具有保持前述 被处理基板之保持台的处理容器, 以及使前述处理容器排气之排气口; 前述微波透过窗设置于前述处理容器上,供给前述 电浆气体之电浆气体供给部插入至前述处理容器 与前述微波透过窗之间,形成前述外壁之一部分。 4.如请求项1之氟添加碳膜之形成方法,其中前述微 波天线藉由同轴导波管给电,包含:具有开口部之 天线主体,于前述天线主体上以覆盖前述开口部之 方式设置之具有复数个槽的微波放射面,以及设置 于前述天线主体与前述微波放射面之间的介电质 。 5.如请求项1之氟添加碳膜之形成方法,其中前述稀 有气体包含Ar。 6.如请求项1之氟添加碳膜之形成方法,其中前述稀 有气体包含Kr。 7.如请求项1之氟添加碳膜之形成方法,其中前述稀 有气体包含Xe。 8.如请求项1之氟添加碳膜之形成方法,其中前述处 理空间藉由导电材料构造物分割为面对于前述微 波透过窗之第1空间与面对于前述被处理基板之第 2空间,使成为形成氟添加碳膜之原料的处理气体 供给至前述第2空间,于前述基板处理装置中进行 前述第2步骤。 9.如请求项8之氟添加碳膜之形成方法,其中前述导 电材料构造物系使前述处理气体供给至前述第2空 间之处理气体供给部。 10.如请求项9之氟添加碳膜之形成方法,其中前述 处理气体供给部包含使于前述处理容器内形成之 电浆通过之复数个开口部;处理气体通路;以及自 前述处理气体通路连通至前述处理容器内之复数 个处理气体供给孔。 11.如请求项8之氟添加碳膜之形成方法,其中前述 第1步骤与前述第2步骤系于前述基板处理装置中 连续进行者。 12.如请求项11之氟添加碳膜之形成方法,其中前述 第2步骤于前述第1步骤后实行,前述第1步骤系在遮 断前述基板处理装置之前述处理气体供给的状态 实施。 图式简单说明: 图1(A)~(C)系表示氟添加碳膜剥离之状态示意图。 图2(A)~(C)系概式性地表示本发明之氟添加碳膜之 形成方法的示意图。 图3系表示本发明之氟添加碳膜之形成方法的流程 图(其1)。 图4(A)、(B)系表示实施本发明之氟添加碳膜之形成 方法的电浆处理装置的概要图。 图5系于图4之电浆处理装置中使用之处理气体供 给构造之底面图。 图6系表示本发明之氟添加碳膜之形成方法的流程 图(其2)。 图7系表示本发明之氟添加碳膜之形成方法的流程 图(其3)。 图8系概式性地表示氟添加碳膜之密着力之测定方 法的示意图。 图9系表示氟添加碳膜之密着力之测定结果的示意 图。 |
