| 主权项 |
1.一种高纯度之异氰酸(甲基)丙烯醯氧基烷基酯之 制造方法,其特征为,于110至160℃之温度下使含水 解性氯之异氰酸(甲基)丙烯醯氧基烷基酯同时与 环氧化合物及胺类进行接触处理后,由所得混合物 得到高纯度之异氰酸(甲基)丙烯醯氧基烷基酯。 2.如申请专利范围第1项之高纯度的异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯之制造方法,其中,进行接触处 理后蒸馏所得混合物,而单离异氰酸(甲基)丙烯醯 氧基烷基酯。 3.如申请专利范围第2项之高纯度的异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯之制造方法,其中,添加防聚合 剂进行接触处理。 4.如申请专利范围第3项之高纯度的异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯之制造方法,其中,进行接触处 理后再加入防聚合剂进行蒸馏。 5.如申请专利范围第3或4项之高纯度的异氰酸(甲 基)丙烯醯氧基烷基酯之制造方法,其中,防聚合剂 为吩。 6.如申请专利范围第5项之高纯度的异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯之制造方法,其中,对原料异氰 酸(甲基)丙烯醯氧基烷基酯添加0.1至20质量%之吩 进行接触处理后,再对原料异氰酸(甲基)丙烯 醯氧基烷基酯添加3至30质量%之吩进行蒸馏。 7.如申请专利范围第6项之高纯度的异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯之制造方法,其中,于120℃以下 之温度进行蒸馏。 8.如申请专利范围第7项之高纯度的异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯之制造方法,其中,胺类为2-烷基 -4-烷基咪唑(其中各烷基之碳数各自独立为1至3)、 三烷基胺(其中各烷基之碳数各自独立为4至15)及 下列式[A]所示化合物中所选出至少1种; H2N-(CH2CH2NH)n-H …[A] (式[A]中,n为2以上之整数)。 9.如申请专利范围第8项之高纯度的异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯之制造方法,其中,异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯为异氰酸(甲基)丙烯醯氧基乙 酯。 10.如申请专利范围第5项之高纯度的异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯之制造方法,其中,吩之全 部添加量对原料异氰酸(甲基)丙烯醯氧基烷基酯 为5至50质量%。 11.如申请专利范围第10项之高纯度的异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯之制造方法,其中,于120℃以下 之温度进行蒸馏。 12.如申请专利范围第11项之高纯度的异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯之制造方法,其中,胺类为2-烷基 -4-烷基咪唑(其中各烷基之碳数各自独立为1至3)、 三烷基胺(其中各烷基之碳数各自独立为4至15)及 下列式[A]所示化合物中所选出至少1种; H2N-(CH2CH2NH)n-H …[A] (式[A]中,n为2以上之整数)。 13.如申请专利范围第12项之高纯度的异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯之制造方法,其中,异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯为异氰酸(甲基)丙烯醯氧基乙 酯。 14.如申请专利范围第2项之高纯度的异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯之制造方法,其中,于120℃以下 之温度进行蒸馏。 15.如申请专利范围第1项之高纯度的异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯之制造方法,其特征为,胺类为2- 烷基-4-烷基咪唑(其中各烷基之碳数各自独立为1 至3)、三烷基胺(其中各烷基之碳数各自独立为4至 15)及下列式[A]所示化合物中所选出至少1种; H2N-(CH2CH2NH)n-H …[A] (式[A]中,n为2以上之整数)。 16.如申请专利范围第15项之高纯度的异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯之制造方法,其中,胺类为2-乙基 -4-甲基咪唑。 17.如申请专利范围第1项之高纯度的异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯之制造方法,其中,异氰酸(甲基) 丙烯醯氧基烷基酯为异氰酸(甲基)丙烯醯氧基乙 酯。 |
